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	IBM: Die Zukunft der Datenspeicherung
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Im Almaden Research Center der IBM in San José (Kalifornien) arbeitet man an einer völlig neuen Art des Datenspeichers, der, so die IBM-Forscher, bald die bisher bekannten Methoden der Datenspeicherung ersetzen könnte. «Racetrack Memory» beruht auf dem «Spintronic Phänomen», das erst kürzlich entdeckt worden ist. Als Memory wird praktisch das elektromagnetische Feld darin genutzt. Zum Lesen und Schreiben greift man auf den «Spin» der Elektronen zurück. Die neue Speichertechnologie, die erst in einigen Jahren praktisch einsetzbar sein wird, verhundertfacht die Speicherkapazität in einem gegebenen Volumen, ohne den Stromverbrauch zu erhöhen.
Eine weitere neue Speichertechnologie entstand in Zusammenarbeit zwischen den IBM Laboratorien, Macronix (Hsinchu, Taiwan) und Qimonda (München): Das Phasenwechsel-Memory. Auch hier gibt es bereits arbeitsfähige Prototypen, die 500× schneller als aktuelle Flash sind und dennoch nur halb so viel Strom brauchen. Das neue Material ist eine Halbleiterlegierung (Germanium/Antimon), die einmal mehr im IBM Almaden Research Center entstand. Der Phasenwechsel erfolgt zwischen einer kristallinen Phase mit geringem elektrischen Widerstand und einer amorphen Phase mit hohem elektrischem Widerstand.
Da es sich um nicht-flüchtige Speicher handelt, spekuliert die Fachwelt bereits darüber, ob mit der neuen Technologie die Trennung in Arbeits- und in Datenspeicher wegfallen könnte. Derzeit werden DRAM, SRAM und Flash verwendet. DRAM und SDRAM sind schneller, haben aber den Nachteil, dass ihre Zellen gewissermassen «leck» sind. Das heisst, damit sie die Informationen behalten, müssen sie laufend mit Strom versorgt und die Daten in ihnen zusätzlich aufgefrischt werden. Flash dagegen wird meist mit einem «Floating Gate», einer Zelle, die nicht leckt und die Ladung speichert, entworfen. Daher «vergessen» Flash ihre Daten auch ohne Strom nicht. Dafür haben sie aber auch Nachteile: Sie sind viel langsamer als DRAM/SDRAM und nach etwa 100.000 Lese-/Schreibvorgängen lässt ihre Zuverlässigkeit deutlich nach.
Ein weiteres Problem mit Flash liegt noch in der Zukunft: Mit dem gegenwärtigen Design können die Zellen nur dann weiterhin als nichtflüchtig ausgeführt werden, wenn die einzelnen Details im Speicher nicht unter eine Grösse von 45 Nanometer sinken.
Das neue Material lässt sich auch dann noch für nichtflüchtige Speicher nutzen, wenn die Details auf 22 Nanometer verkleinert werden.

Links:
http://www.almaden.ibm.com/
http://www.macronix.com/
http://www.qimonda.de/